特許
J-GLOBAL ID:200903088131298633

磁気センサおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-296407
公開番号(公開出願番号):特開2008-111801
出願日: 2006年10月31日
公開日(公表日): 2008年05月15日
要約:
【課題】検出対象とする磁界を、より高精度に検出可能な磁気センサを提供する。【解決手段】第1および第2のMR素子11A,11Bは、外部磁界に応じて変化する磁化方向を有する自由層と、特定の磁化方向を発現しない中間層と、一定方向に固着された磁化J51A,J51Bを有する固着層との積層構造を有する複数の素子パターンを備える。第1および第2のMR素子11A,11Bは、自由層の異方性磁界Hk1,Hk2の方向と平行な中心軸CLを中心として互いに回転対称な関係にある。よって、初期状態において、第1のMR素子11Aの抵抗と第2のMR素子11Bの抵抗とが互いに等しくなる。さらに、第1および第2のMR素子11A,11Bの抵抗は、検出対象磁界に応じて互いに逆方向の変化を示す。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一定方向に固着された磁化方向を有する固着層と、非磁性の中間層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化すると共に前記固着層の磁化方向と異なる方向の異方性磁界を発現する自由層とを含む積層構造をそれぞれ有する第1および第2の磁気抵抗効果素子を備え、 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子は、前記積層構造の積層面と平行な軸を中心として互いに回転対称な関係にある ことを特徴とする磁気センサ。
IPC (1件):
G01R 33/09
FI (1件):
G01R33/06 R
Fターム (10件):
2G017AA06 ,  2G017AA10 ,  2G017AA16 ,  2G017AB09 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017CC04
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特許第3318762号公報
  • 電子式方位計
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-352157   出願人:カシオ計算機株式会社
  • 磁気センサの組立方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-258048   出願人:アルプス電気株式会社
審査官引用 (6件)
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