特許
J-GLOBAL ID：200903082821280887
半導体素子、液晶表示用アクティブマトリクス基板及びこれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080726
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340417
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板上に形成される従来の半導体素子とは異なり、プラスチック等の絶縁基板上に載置することで半導体素子として機能するトランジスタ素子を提供する。【解決手段】 チャネル領域403を介して形成されたドレイン領域402とソース領域401を備えるシリコン粒100Aと、シリコン粒100Aの表面を覆う酸化膜101と、酸化膜101を介してチャネル領域402の上部に形成されるゲート電極300Aと、ドレイン領域402に電気的接続するドレイン電極200Aと、ソース領域401に電気的接続するソース電極400Aと、を備える。
請求項（抜粋）：
微小シリコンバルクの複数を絶縁基板上に所定ピッチ毎にアレイ状に固定し、かつ、このそれぞれの微小シリコンバルクに電極パターンを形成してなる半導体素子。
IPC (7件)：
H01L 27/00 301
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 316
, H01L 27/12
, H01L 27/146
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 27/00 301 Z
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 316 Z
, H01L 27/12 Z
, H01L 27/14 A
, H01L 29/78 618 Z
