特許
J-GLOBAL ID：200903082822196790

電力変換装置

発明者：
田畑 壮章

田畑 壮章 について

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海田 英俊

海田 英俊 について

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笹川 清明

笹川 清明 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (3件)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-424472
公開番号（公開出願番号）：特開2005-185039
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】逆阻止型半導体素子を複数個直列接続して構成される電力変換装置における、各素子の電圧アンバランスを抑制し得るようにする。【解決手段】逆阻止型半導体素子をQ1,Q2のように2直列接続されたアームで、Q1,Q2のコレクタ-エミッタ間電圧VCE1,VCE2を分圧抵抗Rd11,12,21,22により検出し、電圧VCEが負の半サイクルで、例えば検出値VCEs1が基準値Vrefを越えたときは比較器CmpによりスイッチSgsをオンさせ、Q1のゲート電圧をVglからVgsに変化させる。これにより、Q1のゲート電圧がVgsまで放電され漏電電流が大きくなる結果、電圧VCE1は減少する一方で電圧VCE2は上昇し、両素子の電圧がバランスするようになる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
コレクタ-エミッタ間に印加される順方向の電圧はゲートに順電圧または逆電圧を与えることで制御し、コレクタ-エミッタ間に印加される逆方向の電圧は阻止する機能を有する逆阻止型半導体素子を、アーム当たり複数個直列に接続して構成される電力変換装置において、 前記逆阻止型半導体素子のそれぞれにコレクタ-エミッタ間の電圧を検出する検出手段と、ゲート電圧値を調整する調整手段とを設け、逆阻止型半導体素子に逆方向に電圧が印加されているときは、前記検出手段にて検出された電圧値に応じ、前記調整手段によりゲート電圧値を調整することを特徴とする電力変換装置。
IPC (2件)：
H02M1/08 ,  H02M1/00
FI (3件)：
H02M1/08 A ,  H02M1/00 F ,  H02M1/00 J
Fターム (6件)：
5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BB09 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740NN17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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