特許
J-GLOBAL ID：200903091044483611
電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226759
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119926
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 各アームに複数のIGBT素子を直列接続し、各素子のターンオンタイミング差により電圧アンバランスが発生した場合に、過電圧が印加されたIGBTの高速な保護を図る。【解決手段】 図示のように、電力変換装置の上下アームが2つのIGBTQ1とQ2,Q3とQ4の直列接続からなる場合、例えばQ2のターンオン動作のタイミングがQ1より早く、その結果、Q1が過電圧になったことが検出されたら、ゲート駆動装置GDU1によりQ1を通常の順バイアス電圧よりも高い電圧でターンオンさせることにより、従来のものより高速な保護を可能とする。
請求項（抜粋）：
電力変換装置の各アームに複数個直列接続される電圧駆動型半導体素子をそれぞれオン,オフ駆動するためのゲート駆動装置であって、前記電圧駆動型半導体素子に印加される電圧を検出し過電圧か否かを判断する過電圧判別回路と、電圧駆動型半導体素子のターンオン時に電圧駆動型半導体素子を通常の順バイアス電圧よりも高い電圧でターンオンさせるオーバドライブ回路とを備え、前記各直列接続された電圧駆動型半導体素子のターンオンタイミングの差により、各電圧駆動型半導体素子の印加電圧にアンバランスが発生し、前記過電圧判別回路にて過電圧を検出したときは、前記オーバドライブ回路にて過電圧が印加された電圧駆動型半導体素子を通常の順バイアス電圧よりも高い電圧でターンオンさせることにより、電圧駆動型半導体素子への過電圧印加およびこれにもとづく素子破壊を防止することを特徴とする電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置。
Fターム (10件)：
5H740BA11
, 5H740BB01
, 5H740BB05
, 5H740BB08
, 5H740HH06
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740JB02
, 5H740MM02
, 5H740MM03
