特許
J-GLOBAL ID：200903082829725365
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162298
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354887
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、回折格子のえぐれを抑えた均一な回折格子基板の製造方法及びこの基板を用いた部分的に回折格子を有する半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に回折格子を形成するためのレジストパターンを、回折格子形成領域終端部で、開口面積が徐々に増大するように形成し、さらにエッチングし、回折格子基板を作製する。この回折格子基板の上にガイド層、活性層、クラッド層を成長させて半導体レーザを作製する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に回折格子を形成するためのレジストパターンを、回折格子形成領域終端部で、開口面積が徐々に増大するように形成するレジストパターニング工程と、このレジストパターンを用いてエッチングにより半導体基板に回折格子を形成するエッチング工程とを有する部分的に回折格子を有する半導体レーザの回折格子基板の製造方法。
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
