特許
J-GLOBAL ID：200903082841898127

セラミック回路基板およびその製造方法

発明者：
古桑 健

古桑 健 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296625
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101184
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 上下両面の金属回路板間をセラミック基板の貫通孔内の金属柱により電気的に接続するセラミック回路基板において、金属回路板とセラミック基板との接合および金属柱と金属回路板との接合信頼性の高いセラミック回路基板を得る。【解決手段】 貫通孔4を有するセラミック基板1の貫通孔4内にセラミック基板1の厚みに対して0〜150μm短い金属柱5を配置するとともに、セラミック基板1の両面にそれぞれ貫通孔4を塞ぐように金属回路板3を取着し、金属柱5と金属回路板3とをロウ材6を介して接合したセラミック回路基板とする。その製造には、セラミック基板1の厚みに対して0〜150μm短い金属柱5の両端にロウ材6を被着してセラミック基板1の厚みに対して40〜140μm長くしたロウ材付き金属柱7を用いる。
請求項（抜粋）：
貫通孔を有するセラミック基板の前記貫通孔内に前記セラミック基板の厚みに対して0〜150μm短い金属柱を配置するとともに、前記セラミック基板の両面にそれぞれ前記貫通孔を塞ぐように金属回路板を取着し、前記金属柱と前記金属回路板とをロウ材を介して接合して成ることを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (3件)：
H05K 1/11 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/40
FI (3件)：
H05K 1/11 L ,  H05K 3/40 H ,  H01L 23/12 D
Fターム (9件)：
5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB11 ,  5E317BB12 ,  5E317CC08 ,  5E317CC15 ,  5E317CC52 ,  5E317CD21 ,  5E317GG11
引用特許：
審査官引用 (6件)
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