特許
J-GLOBAL ID：200903082886598779
電界放出型電子放出素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 俊郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035350
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】簡単に製作できるとともに電子放出効率が高く、画素密度の高い電界放出型電子放出素子を得る。【解決手段】支持体2の上に導電性機能とカーボンナノチューブ用の触媒材料としての機能を有する電極層3を形成し、形成した電極層3の上に絶縁層4を形成する。絶縁層4に1方向にのみ連続した細孔5を形成し、電極層3を幅10nm〜1μmだけ露出させ、露出した電極層3にエミッタとしてのカーボンナノチューブ6を成長させて一定方向に配列し、高精細な電界放出型電子放出素子を容易に製造する。
請求項（抜粋）：
支持体表面の電極層上に設けた絶縁層に開けられた幅1μm以下の限定域に電子を放出するエミッタとしてのカーボンナノチューブを成長させ、カーボンナノチューブの上部にアノード電極を有する電界放出型電子放出素子において、上記電極層にはカーボンナノチューブ用触媒として機能する材料を用いたことを特徴とする電界放出型電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
