特許
J-GLOBAL ID：200903082887747883

CIS系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層(透明導電膜)連続製膜方法及び製膜装置

発明者：
櫛屋 勝巳

櫛屋 勝巳 について


出願人/特許権者：
昭和シェル石油株式会社

昭和シェル石油株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-155712
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332440
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 MOCVD法により高抵抗バッファ層及び窓層(透明導電膜)を連続して製膜して、従来の溶液成長法による製膜方法と同等の出力特性を得ると共に、製膜方法及び装置を簡素化し、原材料費及び廃棄物処理費を削減して、製造コストを大幅に削減する。【解決手段】 ガラス基板1A上に金属裏面電極層1B、光吸収層1Cの順に製膜した太陽電池半製品基板の光吸収層1C上に、高抵抗バッファ層1D、窓層1Eの順序でMOCVD法により連続的に積層構造で製膜するので、製膜方法及び装置が簡素化され、原材料費及び廃棄物処理費を削減することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板、金属裏面電極層、p形の導電性を有しCIS系(CuInSe2 系)カルコパイライト多元化合物半導体薄膜からなる光吸収層、透明で高抵抗の亜鉛混晶化合物半導体薄膜からなるバッファ層、n形の導電性を有し透明で低抵抗の酸化亜鉛(ZnO)系透明導電膜からなる窓層の順に積層されたサブストレート構造のpnヘテロ接合デバイスであるCIS系薄膜太陽電池の製造方法において、前記ガラス基板上に金属裏面電極層、光吸収層の順に製膜した太陽電池半製品基板の光吸収層上に、前記バッファ層、前記窓層の順序で連続的に積層構造で製膜することを特徴とするCIS系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層・窓層(透明導電膜)連続製膜方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/365
FI (2件)：
H01L31/04 T ,  H01L21/365
Fターム (20件)：
5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DQ15 ,  5F045EE03 ,  5F045HA24 ,  5F051AA09 ,  5F051BA14 ,  5F051CA14 ,  5F051CA22 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA40
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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