特許
J-GLOBAL ID：200903082935285897

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び撮像装置

発明者：
馬渕 圭司

馬渕 圭司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142452
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300446
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】転送電圧を低減し、暗電流の発生による白点等の欠陥画素の改善が可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基体10の第1導電型領域に、半導体基体10の表面側上方に第1導電型領域25を有し、第1導電型領域25の下部に第2導電型領域21を備える光電変換領域20と、光電変換領域20に蓄積された電荷を読み出し領域30に転送する転送トランジスタと、を有する画素を備え、光電変換領域20の第1導電型領域25は、転送トランジスタのゲート電極12における側壁13の下部に延在させて固体撮像素子を構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基体の第1導電型領域において、前記半導体基体の表面側上方に第1導電型領域を有し、前記第1導電型領域の下部に第2導電型領域を備える光電変換領域と、前記光電変換領域に蓄積された電荷を読み出し領域に転送する転送トランジスタと、を有する画素を備え、 前記光電変換領域の前記第1導電型領域は、前記転送トランジスタのゲート電極における側壁の下部に延在されて成る ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (12件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118DA20 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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