特許
J-GLOBAL ID：200903080480673114
固体撮像素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-291961
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128296
出願日： 2002年10月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】CMOSイメージセンサの暗電流を防止する。【解決手段】光電変換素子に埋め込みPD119を用い、転送ゲート電極に負電圧をかけることにより、転送ゲート部の直下にp型チャネル層を形成して、この部分の暗電流を防止する。また、転送ゲート電極330はFD115をLDD構造で形成するための側壁370を有するが、PD119側の側壁370の直下に、PD119のp+層350を延在させた状態で配置する。これにより、PD119のp+層350から転送ゲート部の直下のp型チャネル層にわたる部分が直接接続され、PD119のn型層360をp型の領域で包囲でき、暗電流を極小に抑制できる。また、このような画素を形成する半導体基板のPウェル領域200に電荷転送動作に合わせて負電圧を印加することにより、電荷転送の低電圧化を図る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の画素を設けた撮像領域部と、前記撮像領域部から出力される画像信号の処理を行う処理回路部とを有する固体撮像素子において、
前記画素は、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷量を検出するフローティングディフュージョン部と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送ゲート部を有し、
前記光電変換素子は、半導体基板の最表面に形成される第1導電型高濃度不純物層よりなる電荷分離領域と、前記電荷分離領域の下層に形成される第2導電型不純物層よりなる電荷蓄積領域とを有する埋め込みフォトダイオードより形成され、
前記転送ゲート部は、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して配置され、両側部に側壁を有して形成される転送電極を有するとともに、前記転送電極には前記光電変換素子における電荷蓄積期間中に前記転送ゲート部のゲート絶縁膜の界面に第1導電型チャネル層を形成するための転送バイアス電圧が印加され、
さらに前記埋め込みフォトダイオードの電荷分離領域は、前記転送電極のフォトダイオード側の側壁の下部に延在して形成されている、
ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 P
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118DD12
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA28
, 5C024CX43
, 5C024CY47
, 5C024GY31
