特許

J-GLOBAL ID：200903082938086569

酸化薄膜形成方法

発明者： 荒井 和雄 ,  吉田 貞史 ,  野中 秀彦 ,  一村 信吾 ,  黒河 明
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218774
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067757
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【解決手段】化合物半導体の表面に所定の厚さの酸化薄膜を形成する方法において、化合物半導体1の表面を原子層オーダで酸化して酸化膜2を形成した後、酸化膜2上に所定の厚さの酸化膜4を、化合物半導体1を酸化させることなく形成するようにした酸化薄膜形成方法。【効果】当該化合物半導体と良質な界面を持ち、且つ酸化膜中に残存元素を含まない、良質なMOSゲート用などに使用することができる酸化薄膜を形成することができた。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の表面に所定の厚さの酸化薄膜を形成する方法において、化合物半導体の表面を原子層オーダで酸化して酸化膜を形成した後、該酸化膜上に所定の厚さの酸化膜を、上記化合物半導体を酸化させることなく形成するようにしたことを特徴とする酸化薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-145267   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭47-033570