有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-346654
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157752
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】有機TFTにおいて、金属電極と有機薄膜とのエネルギー障壁を効率的に低減させることで、デバイス特性を向上することを課題とする。【解決手段】基体上の有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極と、前記有機薄膜とソース/ドレイン電極との間に、有機シラン化合物から形成されエネルギー障壁を低減する機能を有する単分子膜からなる緩衝膜とを備えたことを特徴とする有機TFTにより上記課題を解決する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極と、前記有機薄膜とソース/ドレイン電極との間に、エネルギー障壁を緩和する機能を有する緩衝膜とを備えたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (10件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/28 100A , H01L29/28 220D , H01L29/28 310D , H01L29/28 250E , H01L29/28 250G , H01L29/28 250H , H01L29/28 310J

Fターム (36件)：

5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-240449 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (6件)

電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-162538 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-265170 出願人：パイオニア株式会社
コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055997 出願人：株式会社日立製作所

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