特許

J-GLOBAL ID：200903082940930172

半導体装置の製造方法

発明者： 藤井 裕二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-118163
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318395
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 パワートランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 溝11,13が形成された半導体基板1の主面上にチタンタングステンからなる導体膜15aを堆積した後、アルミニウムからなる導体膜16aを堆積する。続いて、導体膜16aをリフロして溝11,13内に流し込む。その後、導体膜16b,16cを加熱しながら堆積することで導体膜16a,16b,16cを溝11,13内に流し込む。導体膜15aを設けたことにより、導体膜16a〜16cのリフロ時に、導体膜16a〜16c中のアルミニウムと半導体基板1のシリコンとが反応するのを抑制または防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程において、(a)半導体基板の主面上に前記半導体基板の一部が露出される配線開口部を形成する工程、(b)前記配線開口部内を含む前記半導体基板の主面上に第1導体膜を堆積する工程、(c)前記配線開口部内を含む前記第1導体膜上にアルミニウム主体の導体膜を堆積する工程、(d)前記(c)工程後、前記アルミニウム主体の導体膜を加熱することにより流動させて前記配線開口部内に流し込む工程を有し、前記第1導体膜は、前記(d)工程によっても前記アルミニウム主体の導体膜のアルミニウム原子と前記半導体基板の構成原子との反応を抑制または防止可能な構造を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/417

FI (7件)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/50 M ,  H01L 21/90 C

Fターム (113件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD11 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG18 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM18 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN29 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04 ,  5F033XX07 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-017389   出願人：日本電気株式会社
• イオン化金属付着層を用いるアルミニウムホール充填
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-203776   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229776   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093461   出願人：株式会社東芝