イオン化金属付着層を用いるアルミニウムホール充填

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-203776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070093
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】集積回路内の2つの配線面間を接続するホールが、特に下面がシリコンである場合、狭いホールによって接続される集積回路用のホール充填プロセス。【解決手段】最初に、物理気相堆積(PVD)プロセスによりホール内に3重バリヤ層を充填する。この3重バリヤ層は、高密度プラズマ条件の下で成長するTi、TiN、グレードTiNxの連続層を含む。その後、第1のアルミニウム層を高密度プラズマ条件下でPVD堆積する。次に、充填アルミニウム層を標準PVD法によって堆積する。

請求項（抜粋）：

集積回路の誘電体層を通るホールを充填する方法であって、高密度プラズマの条件の下で、第1の金属からなる第1の層を前記ホール内にスパッタにより堆積させる第1のステップと、前記第1の層の上に、第2の金属からなる第2の層をスパッタにより堆積させる第2のステップと、を備えることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/285 301 R , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238905 出願人：ソニー株式会社
スパッタリング方法及びスパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-194952 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社, 堀池靖浩
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335577 出願人：沖電気工業株式会社

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