特許

J-GLOBAL ID：200903082954414371

成膜装置

発明者： 飯島 正行 ,  佐藤 昌敏 ,  浮島 禎之 ,  高橋 善和
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110228
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289902
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】簡単な工程で蒸着重合法を用いて低比誘電率の層間絶縁膜を形成しうる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置1は、マルチチャンバー方式の枚葉式の装置であり、コア室2の周囲に、Siウェハー等の出し入れを行うためのL/UL室3と、蒸着重合を行うための第1の処理室4と、加熱処理及び紫外線の照射を行うための第2の処理室5と、アルミニウム等のスパッタリングを行うための第3の処理室6とが配置される。L/UL室3からコア室2を介して第1〜第3の処理室4〜6へ基板8を自由に搬送するように構成される。第1の処理室4の上方には、2種類の原料モノマーA、Bの蒸発源40A、40Bが導入管41A、41Bを介して接続され、基板8に対して上方から原料モノマーA、Bを供給できるように構成されている。

請求項（抜粋）：

基体に対して成膜処理を行うための複数の処理室を有する成膜装置であって、上記複数の処理室のうちの少なくとも一つが蒸着重合用の処理室であり、該蒸着重合用の処理室が、上記基体に対して上方から原料モノマーを供給するように構成されていることを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/312 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/16

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/312 A ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/16

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭57-180134
  
• 特開昭63-062869
  
• 誘電体膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-273838   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-261322
  
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-086663   出願人：ソニー株式会社
• 有機薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-065226   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭61-078463
  
• ポリ尿素膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-080968   出願人：日本真空技術株式会社, 昭和シェル石油株式会社