特許

J-GLOBAL ID：200903083054380770

低温オゾン・プラズマ・アニールによる酸化タンタル薄膜製造方法

発明者： ダン・カール ,  デーヴィッド・マーク・ドブジンスキ ,  ソン・ヴァン・グエン ,  トゥエ・グエン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189618
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069998
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 高誘電率Ta2O5薄膜の特性を改善する処理方法を提供する。【構成】 高誘電率Ta2O5薄膜の低温アニール(酸化)方法として、オゾン強化プラズマを用いる。製造された薄膜は、特に64Mビットないし256MビットのDRAM応用例に適用可能である。Ta2O5薄膜のオゾン強化プラズマ・アニール工程では、工程温度が400°Cと低く、しかも、膜の品質としては、低い漏電と高い絶縁破壊が達成され、製造されたTa2O5膜は超大規模集積回路(ULSI)応用例(スタック・コンデンサ構造の、64Mビットおよび256MビットのDRAM用蓄積誘電体など)により好適なものとなる。この低温工程は、他に多くの応用例が可能な他の高誘電率薄膜および圧電性薄膜に拡張可能である。

請求項（抜粋）：

p型またはn型シリコン基板を急速熱窒化させる段階と、低圧化学蒸着(LPCVD)によって上記窒化基板上にTa2O5薄膜を付着させる段階と、上記Ta2O5膜を低温のオゾンおよび酸素プラズマでアニールする段階とを含む、高誘電率Ta2O5薄膜を製造する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/16 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/10 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-302472   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-149982   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-210787   出願人：日本電気株式会社
• 酸化タンタル薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-212471   出願人：松下電器産業株式会社