特許
J-GLOBAL ID：200903083094789417
磁気検出素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245108
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060260
出願日： 2001年08月13日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 フリー磁性層の磁化を整えるためのバイアス方式及び構造を適切に改良することで、今後の高記録密度化においても、再生出力や抵抗変化率の上昇など再生特性の向上を適切に図ることが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供。【解決手段】 積層体30の両側に絶縁層31を設けること、前記積層体30上から前記絶縁層31上にかけてフリー磁性層32を形成すること、前記フリー磁性層32をエクスチェンジバイアス方式によって単磁区化すること、および第2反強磁性層35に凹部35aを形成し、この凹部35aの幅でトラック幅Twを規制するとともに、積層体30上面の幅よりも小さくすることで、磁気検出素子の再生出力及び抵抗変化率を向上させることが可能になる。
請求項（抜粋）：
第1反強磁性層と、この第1反強磁性層の上面に形成され、前記第1反強磁性層との間で発生する交換結合磁界によって磁化が所定方向にされる固定磁性層と、前記固定磁性層の上面に形成された、少なくとも絶縁障壁層を含むスペーサ層とを有する積層体と、この積層体のトラック幅方向の両側に形成された絶縁層と、前記スペーサ層の上面から前記絶縁層の上面にかけて形成され、磁化が前記固定磁性層と交叉する方向に揃えられたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の上側に形成された第2反強磁性層とを有して成り、前記積層体と膜厚方向に対向する位置での前記第2反強磁性層には、前記第2反強磁性層の上面から前記積層体方向に向けて凹部が形成され、この凹部の下面のトラック幅方向における幅寸法が、前記積層体の上面のトラック幅方向における幅寸法より小さく形成され、前記積層体の下側及び前記第2反強磁性層の上側に電極層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01F 41/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01F 41/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
