特許
J-GLOBAL ID：200903083111031213

半導体レーザ

発明者：
寺門 知二

寺門 知二 について

, 
鳥飼 俊敬

鳥飼 俊敬 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014660
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213691
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 85°C以上の高温に於いても低駆動電流動作が可能で、かつ低容量の為に高速変調動作が可能な半導体レーザの提供。【構成】 MOVPE法によって製作されるp形InP基板10上の半導体レーザにおいて、素子容量低減の為に、その電流狭窄構造の一部に半絶縁性InP電流ブロック層16を設ける。半絶縁性InP電流ブロック層16の代りに、低キャリア濃度InP層が設けられても良い。電流狭窄構造の耐性を高める為に、InGaAsP再結合層が更に設けられても良い。半絶縁性層16や低キャリア濃度層を設けることによって素子の寄生容量が低減できるため高速変調動作が可能になる。更にInGaAsP再結合層を設けることにより、電流狭窄構造の耐性が高まる為、高温に於いても漏れ電流が少なくなり、発振閾値電流の温度特性に優れ85°C以上の高温においても低駆動電流動作が可能になる。
請求項（抜粋）：
主面を有し第1導電型半導体からなるベース層と、前記主面の所定部に形成された第1導電型半導体からなる第1のクラッド層と;この第1のクラッド層上に形成され、互いに対向する一対の側面を有するストライプ状の活性層と;この活性層上に形成された第2導電型半導体からなる第2のクラッド層と;前記第1のクラッド層、前記活性層、及び前記第2クラッド層を挟んだ状態に前記主面の残りの部分に形成され、前記活性層中に電流を狭窄する電流狭窄部と;を有する半導体レーザにおいて、前記電流狭窄部は、前記主面の残りの部分に形成された第1導電型半導体からなる一対の第1の埋込層と;これら一対の第1の埋込層の第1の埋込層上に形成された第2導電型半導体からなる一対の第1の電流ブロック層と;これら一対の第1の電流ブロック層上に形成された半絶縁性材料からなる一対の第2の電流ブロック層と;これら一対の第2の電流ブロック層上に形成された第2導電型半導体からなる一対の第2の埋込層と;を有し、前記一対の第1の埋込層は、前記第1のクラッド層、前記活性層、及び前記第2クラッド層を挟んだ状態に、前記主面の前記残りの部分の内側端部から突出した一対の突出部を有し、該一対の突出部が前記活性層の前記一対の側面及び前記一対の第2の電流ブロック層の内側端部にそれぞれ接触することで、前記一対の第1の電流ブロック層が電気的に孤立していることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (6件)
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