特許

J-GLOBAL ID：200903083156058937

III-V族窒化物化合物半導体電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 神林 宏 ,  新山 勇樹 ,  大友 晋哉 ,  野村 剛彦 ,  吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-343451
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159631
出願日： 2006年12月20日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】III-V族窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層に欠陥のない高性能のIII-V族窒化物化合物半導体電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】III-V族窒化物化合物半導体MOS型電界効果トランジスタ1Aは、GaNなどのIII-V族窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層3と、再成長技術を用いてそれぞれ形成された2つのオーミックコンタクト層8,9およびリサーフ層10とを備える。オーミックコンタクト層8,9およびリサーフ層10の両方が再成長技術により形成されているので、高温熱処理の必要がない。そのため、エピタキシャル層3に欠陥を与えることなく、オーミックコンタクト層8,9およびリサーフ層10を形成できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物化合物半導体を用いたIII-V族窒化物化合物半導体電界効果トランジスタの製造方法において、 オーミック電極下の不純物層を、再成長技術を用いて形成することを特徴とするIII-V族窒化物化合物半導体電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (6件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J

Fターム (37件)：

4M104AA04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104DD26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA26 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110GG04 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK11 ,  5F110HK25 ,  5F110HK34 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F140AA00 ,  5F140AA10 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BB15 ,  5F140BC12 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ01 ,  5F140BK02 ,  5F140BK03 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-152742   出願人：株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (4件)

• GaN-AlNをベース材料とする高電圧半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-524138   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327632   出願人：古河電気工業株式会社
• GaN系電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-328873   出願人：古河電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-361183   出願人：古河電気工業株式会社