特許
J-GLOBAL ID：200903083238162708

不揮発性半導体記憶装置および製造方法

発明者：
吉田 敬一

吉田 敬一 について

, 
野副 敦史

野副 敦史 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-358795
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 出荷前に行なうテストの所要時間を短縮するとともに、出荷後においても冗長回路を用いた不良救済が行なえ、コントローラによるアドレスの管理が不要な不揮発性半導体記憶装置を実現する。【解決手段】 記憶情報を電気的に書込み、消去可能な複数の不揮発性記憶素子と予備の記憶素子とを含むメモリアレイ(10)を備え、通常動作で書込み不良と判定された記憶素子は上記予備の記憶素子(10a)と置き換えられるとともにその不良記憶素子に関する情報が上記メモリアレイの所定の領域(10b)に記憶されるように構成された不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、テストにより不良記憶素子が検出されてもその不良記憶素子に関する情報は上記メモリアレイの所定の領域には記憶せず、テストにより検出された不良記憶素子の割合が所定値以下のものを良品として抽出するようにした。
請求項（抜粋）：
記憶情報を電気的に書込み、消去可能な複数の不揮発性記憶素子と予備の記憶素子とを含むメモリアレイを備え、通常動作で書込み不良と判定された記憶素子は上記予備の記憶素子と置き換えられるとともにその不良記憶素子に関する情報が上記メモリアレイの所定の領域に記憶されるように構成された不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、テストにより不良記憶素子が検出されてもその不良記憶素子に関する情報は上記メモリアレイの所定の領域には記憶せず、テストにより検出された不良記憶素子の割合が所定値以下のものを良品として抽出することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
IPC (6件)：
G11C 29/00 652 ,  G11C 29/00 601 ,  G01R 31/28 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  G11C 17/00
FI (6件)：
G11C 29/00 652 ,  G11C 29/00 601 B ,  G11C 17/00 D ,  G11C 17/00 601 Z ,  G11C 17/00 639 Z ,  G01R 31/28 B
Fターム (22件)：
2G132AA09 ,  2G132AC03 ,  2G132AH07 ,  2G132AK07 ,  2G132AL09 ,  5B003AA05 ,  5B003AB05 ,  5B003AE04 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD13 ,  5B025AD16 ,  5B025AE05 ,  5B025AE09 ,  5L106AA10 ,  5L106CC01 ,  5L106CC05 ,  5L106CC14 ,  5L106DD00 ,  5L106EE02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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