特許
J-GLOBAL ID：200903083247571483
半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047276
公開番号（公開出願番号）：特開2007-112975
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。【解決手段】(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、 (i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、 (ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、(3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)固体Si-核磁気共鳴スペクトルにおいて、
(i)ピークトップの位置がケミカルシフト-40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、
(ii)ピークトップの位置がケミカルシフト-80ppm以上-40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピーク
からなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、
(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、
(3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である
ことを特徴とする、半導体発光デバイス用部材。
IPC (5件)：
C08G 77/16
, H01L 33/00
, C08L 83/06
, C08K 3/20
, C08G 79/00
C08G77/16
, H01L33/00 N
, C08L83/06
, C08K3/20
, C08G79/00
4J002CP031
, 4J002CQ031
, 4J002DE096
, 4J002DE136
, 4J002DE146
, 4J002DE186
, 4J002DJ016
, 4J002FD016
, 4J002FD200
, 4J002FD206
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J030CA02
, 4J030CB03
, 4J030CB18
, 4J030CC05
, 4J030CC15
, 4J030CC16
, 4J030CC21
, 4J030CD11
, 4J030CE02
, 4J030CE11
, 4J030CF09
, 4J030CG03
, 4J030CG04
, 4J030CG29
, 4J246AA03
, 4J246AB13
, 4J246BA02X
, 4J246BA020
, 4J246CA14X
, 4J246CA140
, 4J246FA071
, 4J246FA131
, 4J246FA421
, 4J246FA431
, 4J246FA441
, 4J246FA611
, 4J246FB031
, 4J246FB081
, 4J246FC181
, 4J246FE06
, 4J246FE33
, 4J246GA12
, 4J246GA13
, 4J246GC02
, 4J246GC12
, 4J246GC22
, 4J246GC23
, 4J246HA29
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA42
, 5F041DB09
, 5F041EE25
出願人引用 (5件)
-
特許第3275308号公報
-
発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-396258
出願人：岡谷電機産業株式会社
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蛍光体層形成用液
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-434786
出願人：株式会社槌屋
-
発光素子とその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-249811
出願人：日亜化学工業株式会社
-
発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-388463
出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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審査官引用 (3件)
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