特許
J-GLOBAL ID：200903083322295314
フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-017289
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308002
出願日： 2001年01月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 エバネッセント光と伝播光の両方を用いた露光において、均一な大小パターン形成を実現する、パターン作製方法及び、パターン作製装置を提供する。【解決手段】 フォトマスクを透過する光の主成分がエバネッセント光となる微小開口と伝播光となる開口を有したフォトマスクを用いたパターン作製方法において、フォトレジストを微小開口の幅以下の膜厚形成し、露光用光をフォトマスクに入射させ、フォトレジストを露光した後に現像を行い、被加工基板上にフォトレジストのパターンを作製した。
請求項（抜粋）：
透過光の主成分がエバネッセント光となる微小開口と伝播光となる開口の混在するフォトマスクを用いて行なうパターン作製方法において前記微小開口の幅以下の膜厚を有するフォトレジストを被加工基板上に形成する工程と露光用光を入射させてフォトレジストを露光する工程とを有することを特徴とするパターン作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 1/14
, G03F 7/20 521
G03F 1/08 D
, G03F 1/14 B
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 573
2H095BA04
, 2H095BB02
, 2H095BB31
, 2H095BC01
, 2H095BC09
, 5F046AA25
, 5F046BA01
, 5F046BA10
, 5F046CA07
, 5F046CB17
, 5F046JA22
, 5F046JA27
, 5F046NA04
, 5F046NA07
