特許
J-GLOBAL ID：200903083339626349

半導体記憶装置の製造方法

発明者：
高石 芳宏

高石 芳宏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122322
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317504
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 特別な工程を増加することなく、シリンダ電極の倒れ・剥がれが防止でき、微細なシリンダ電極を安定に形成する。【解決手段】 シリンダ型キャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法において、コンタクトが形成された絶縁膜上に下地絶縁膜を形成する工程、該下地絶縁膜のシリンダ電極形成領域部分を除去する工程、シリンダ電極の下部が該下地絶縁膜の中に埋め込まれ且つ該コンタクトに接触するように、該下地絶縁膜が除去されたシリンダ電極形成領域上にシリンダ電極を形成する工程を行う。
請求項（抜粋）：
キャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法であって、コンタクトが形成された絶縁膜上に下地絶縁膜を形成する工程、該下地絶縁膜の電極形成領域部分を除去する工程、電極の下部が該下地絶縁膜の中に埋め込まれ且つ該コンタクトに接触するように、該下地絶縁膜が除去された電極形成領域上に電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
引用特許：
審査官引用 (5件)
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