特許
J-GLOBAL ID：200903037678376635
SOIウエハ上に基板コンタクトを形成する方法および半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017676
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223684
出願日： 2000年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 シリコン・オン・インシュレータ領域を有する基板内に基板コンタクトを形成する方法を提供する。【解決手段】 浅い分離トレンチが、シリコン・オン・インシュレータ内に形成される。浅い分離トレンチは充填される。フォトレジスト17が基板上に付着される。コンタクト・トレンチが、充填された浅い分離トレンチ,シリコン・オン・インシュレータ,およびシリコン・オン・インシュレータ領域の下側のシリコン基板3を経て、基板内に形成される。コンタクト・トレンチは充填され、コンタクト・トレンチを充填する材料21は、シリコン基板3へコンタクトを形成し、基板3を接地される。これにより、基板3における静電荷の蓄積の問題を解決することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン・オン・インシュレータ領域を有する基板内に基板コンタクトを形成する方法において、前記シリコン・オン・インシュレータ基板内に、浅い分離トレンチを形成する工程と、前記浅い分離トレンチを充填する工程と、前記基板上にフォトレジストを付着する工程と、前記充填された浅い分離トレンチおよびシリコン・オン・インシュレータ基板領域を経て、少なくとも前記シリコン・オン・インシュレータ領域の下側のシリコン基板の上部まで延びるコンタクト・トレンチを、前記基板内に形成する工程と、前記コンタクト・トレンチを充填する工程とを含み、前記コンタクト・トレンチを充填する材料は、前記シリコン基板へコンタクトを形成することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 27/12 C
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 626 C
