特許
J-GLOBAL ID：200903083388423089

配線パターンの形成方法、配線パターン、配線基板、及び電気光学装置、電子機器

発明者：
今井 英生

今井 英生 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-208144
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027454
出願日： 2005年07月19日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 絶縁性をより向上させることが可能な配線パターンの形成方法、配線パターン、品質の良好な配線基板、及び電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】 配線基板10の形成方法は、基板P上に配線パターンの材料を含む第1の機能液X1を配置させ、配置された第1の機能液X1を固化させて配線13を形成する。次に、配線13を覆うようにメッキ層14を形成して配線パターン30を形成する。最後に、配線13間に絶縁材料としての第2の機能液X2を配置させ、配置された第2の機能液X2を固化させて絶縁層33を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、 前記基板上に前記配線パターンの材料を含む第1の機能液を配置させ、配置された前記第1の機能液を固化させて配線を形成する工程と、 前記配線を覆うように、メッキ層を形成する工程と、 前記配線の配線間に絶縁材料を含む第2の機能液を配置させ、配置された前記第2の機能液を固化させて絶縁層を形成する工程と、 を備えていることを特徴とする配線パターン形成方法。
IPC (6件)：
H05K 3/10 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/133 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/28 ,  G09F 9/00
FI (6件)：
H05K3/10 D ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1333 505 ,  H05K3/24 C ,  H05K3/28 B ,  G09F9/00 340A
Fターム (65件)：
2H090HA03 ,  2H090HB07X ,  2H090HC06 ,  2H090HD05 ,  2H090HD07 ,  2H090JB02 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092GA35 ,  2H092GA43 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA55 ,  2H092GA60 ,  2H092HA06 ,  2H092HA12 ,  2H092HA19 ,  2H092HA25 ,  2H092MA10 ,  2H092MA11 ,  2H092NA17 ,  5E314AA24 ,  5E314AA31 ,  5E314AA33 ,  5E314AA36 ,  5E314BB06 ,  5E314BB11 ,  5E314CC01 ,  5E314EE01 ,  5E314FF02 ,  5E314FF03 ,  5E314FF04 ,  5E314FF05 ,  5E314FF12 ,  5E314GG05 ,  5E314GG17 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA18 ,  5E343BB17 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB72 ,  5E343CC22 ,  5E343DD12 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE02 ,  5E343EE08 ,  5E343EE13 ,  5E343EE20 ,  5E343EE36 ,  5E343EE37 ,  5E343ER33 ,  5E343FF05 ,  5E343GG14 ,  5G435AA13 ,  5G435BB12 ,  5G435EE40 ,  5G435EE42 ,  5G435LL07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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