特許
J-GLOBAL ID:200903083411633312
蛍石の製造方法及び光リソグラフィー用の蛍石
発明者:
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出願人/特許権者:
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公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-046481
公開番号(公開出願番号):特開平11-240787
出願日: 1998年02月27日
公開日(公表日): 1999年09月07日
要約:
【要約】【課題】 複屈折が充分に小さくて、光リソグラフィーにおける光学系に使用可能な蛍石単結晶が得られ、特に波長250nm以下の光リソグラフィーに使用可能な大口径(φ230mm以上)で光学特性が良好な蛍石単結晶が得られる蛍石単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 熱処理の最高温度を1020〜1150°Cの範囲にある所定温度(第1温度)として所定時間保持し、かつ前記所定温度(第1温度)より600〜800°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、或いは前記所定温度(第1温度)より700〜900°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、蛍石単結晶を熱処理することにより、光学特性を向上させた蛍石単結晶を製造する方法。
請求項(抜粋):
熱処理の最高温度を1020〜1150°Cの範囲にある所定温度(第1温度)として所定時間保持し、かつ前記所定温度(第1温度)より600〜800°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、或いは前記所定温度(第1温度)より700〜900°Cの範囲(またはその近辺)にある所定温度(第2温度)までの冷却速度を1.2°C/時間以下として、蛍石単結晶を熱処理することにより、光学特性を向上させた蛍石単結晶を製造する方法。
IPC (5件):
C30B 11/00
, C01F 11/22
, C30B 29/12
, G02B 1/02
, H01L 21/027
FI (5件):
C30B 11/00 Z
, C01F 11/22
, C30B 29/12
, G02B 1/02
, H01L 21/30 515 D
引用特許:
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