特許
J-GLOBAL ID：200903083427362092

反射電子線検出装置

発明者：
桑田 正彦

桑田 正彦 について


出願人/特許権者：
日本電子株式会社

日本電子株式会社 について

, 
日本電子エンジニアリング株式会社

日本電子エンジニアリング株式会社 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-300540
公開番号（公開出願番号）：特開2006-112921
出願日： 2004年10月14日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】反射電子線検出装置において、結晶粒界とその方位情報を得る他に、磁性材料解析機能や、特定結晶方位の分布検査機能を付加し、より広範な解析を行うことがでるようにする。【解決手段】操作部14を使ったオペレータの操作により、解析情報の取得領域が電子線照射軸に対して垂直とされたとき、システム制御部15の制御に基づいて、前記電子線像における前記取得領域の縦方向に画素の輝度を積算し、解析情報として試料の磁区パターン情報を得、システム制御部15に送る。システム制御部15は、前記磁区パターン情報に応じた画像を表示部13に表示する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
試料に電子線を照射する電子線照射手段と、 前記電子線照射手段から照射された電子線を試料上で2次元的に走査する手段と、 前記電子線照射手段から照射された電子線が前記試料に入射する角度を調節可能にするために前記試料を傾斜して保持する保持手段と、 前記保持手段によって保持された試料から反射された電子の強度コントラストを表す電子線像を撮影する撮像手段と、 前記撮像手段によって撮影された電子線像に各種解析処理を施す解析処理手段と、 前記解析処理手段によって各種解析処理が施された解析データを画像化して表示する表示手段と、 前記表示手段に表示された電子線像上で試料の解析情報の取得領域を指定するために使われる操作手段と、 前記操作手段を使った操作によって前記電子線像上に指定された解析情報の取得領域について、前記解析処理手段に前記取得領域中の各画素の輝度を積算させ、積算された輝度を前記試料上の電子線照射位置に対応して画像化する制御手段と を備えることを特徴とする反射電子線検出装置。
IPC (2件)：
G01N 23/203 ,  H01J 37/22
FI (3件)：
G01N23/203 ,  H01J37/22 502E ,  H01J37/22 502H
Fターム (28件)：
2G001AA03 ,  2G001BA05 ,  2G001BA15 ,  2G001BA18 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001DA01 ,  2G001DA09 ,  2G001EA03 ,  2G001FA06 ,  2G001GA06 ,  2G001GA13 ,  2G001HA12 ,  2G001HA13 ,  2G001JA06 ,  2G001JA07 ,  2G001JA13 ,  2G001KA08 ,  2G001KA10 ,  2G001KA12 ,  2G001KA20 ,  2G001LA02 ,  2G001LA06 ,  2G001LA11 ,  2G001LA20 ,  2G001PA11 ,  2G001PA15 ,  2G001PA30
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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