特許

J-GLOBAL ID：200903083469467706

インダクタ及びその製造方法

発明者： 益 一哉 ,  岡田 健一 ,  菅原 弘雄
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 石原 昌典 ,  生井 和平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-249692
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066769
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】チップ占有面積が小さく、自己共振周波数やQ値を高くできるオンチップインダクタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】互いに対面するように配置される右巻スパイラル構造と左巻スパイラル構造とが、半導体基板に対して水平方向を軸に巻かれて構成される。そして、右巻スパイラル構造の中心端と左巻スパイラル構造の中心端とが接続される。巻軸方向から見て、右巻スパイラル構造を流れる電流の向きと左巻スパイラル構造を流れる電流の向きが等しく、これらの配線がそれぞれ近傍に位置している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されるインダクタであって、該インダクタは、 半導体基板に対して水平方向を軸に1巻より多く右巻に巻かれる右巻スパイラル構造と、 前記右巻スパイラル構造に対面するように配置され、半導体基板に対して水平方向を軸に1巻より多く左巻に巻かれる左巻スパイラル構造と、 前記右巻スパイラル構造の中心端と前記左巻スパイラル構造の中心端とが接続される接続部、又は、前記右巻スパイラル構造の外側端と前記左巻スパイラル構造の外側端とが接続される接続部と、 を具備することを特徴とするインダクタ。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (4件)：

H01L27/04 L ,  H01F17/00 C ,  H01F41/04 C ,  H01L21/88 S

Fターム (23件)：

5E062DD04 ,  5E070AA05 ,  5E070AB04 ,  5E070AB06 ,  5E070AB07 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5E070CB17 ,  5E070CC01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033VV08 ,  5F038AZ04 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• インダクタ素子、トランス素子およびバラン素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148804   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜インダクタ及びそれを利用した電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-155682   出願人：太陽誘電株式会社