特許

J-GLOBAL ID：200903083537712552

半導体素子

発明者： 木村 睦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-191088
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039690
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】本発明の目的は、高性能、高集積度、高速動作、低駆動電圧、低消費電力、低コストの半導体素子を実現することである。【解決手段】半導体基板11上にバルク半導体素子12が形成され、素子間絶縁膜13をはさんで薄膜トランジスタ14が形成され、バルク半導体素子12は素子間絶縁膜13に開孔されたコンタクトホール15を介して薄膜トランジスタ14と導通している。または、絶縁体基板上に第1層めの薄膜トランジスタが形成され、素子間絶縁膜をはさんで第2層めの薄膜トランジスタが形成され、第1層めの薄膜トランジスタは素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第2層めの薄膜トランジスタと導通している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にバルク半導体素子が形成され、素子間絶縁膜をはさんで薄膜トランジスタが形成され、前記バルク半導体素子は前記素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと導通していることを特徴とする、半導体素子。

IPC (4件)：

H01L27/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L27/00 301A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 613Z

Fターム (31件)：

5F048AA01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA02 ,  5F048BA09 ,  5F048BA16 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BF02 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3次元回路素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-192088   出願人：日本板硝子株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-352266   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭63-040343
  
• 薄膜トランジスタを有する多層半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-164303   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所