特許
J-GLOBAL ID：200903083643447566

誘電酸化物層及び反射防止膜のインサイチュ堆積

発明者：
デイヴィッド チュング

デイヴィッド チュング について

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ジュディー エイチ. ハング

ジュディー エイチ. ハング について

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ワイ-ファン ヤウ

ワイ-ファン ヤウ について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162729
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067744
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、反射防止膜及び誘電体層を含む2層構造を、クリーニングステップ等の中間処理ステップを経ずに、堆積する方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明は、誘電体層のパターン化に使用されるフォトレジスト層内における入射放射エネルギの反射及び屈折によって生じる不正確さを低減することによって、より正確でより簡単な構造の形成を提供することができる。更に、本発明の反射防止膜は、反射防止膜の上に形成される層のパターン化中にエッチング停止層としても作用することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1層を堆積するステップと、ケイ素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとを含む第1組のプロセスガスを処理チャンバ内に導入するステップと、前記第1組のプロセスガスにエネルギを印加して、前記第1層の上に第2層を堆積するステップと、第3層が前記第2層の上に形成され、入射放射エネルギが前記第3層内で反応を引き起こすステップであって、前記プロセスガスに印加する前記エネルギを、前記第3層内の前記入射放射エネルギの反射及び屈折を低減することができる厚さにまで前記第2層を堆積するために充分な長さの時間維持するステップであって、、前記ステップ全体を通して前記基板を前記処理チャンバ内に維持するステップと、を含む処理チャンバ内に配置した基板上に多層薄膜を堆積する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/30 574
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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