特許
J-GLOBAL ID：200903083731932792

パターン形成方法

発明者：
樽谷 晋司

樽谷 晋司 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-076038
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268382
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 特に遠紫外線光を光源とした、レジスト組成物の液浸露光によるパターン形成において、レジストパターンの倒れ、プロフィル、解像力、焦点深度、露光余裕度の劣化が無く、液浸露光に好適なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板上のレジスト膜に液浸液を介して露光する工程(a)、該レジスト膜に浸入した液浸液成分を除去する工程(b)、該レジスト膜を加熱する工程(c)、及び、現像を行う工程(d)を、この順に、有することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板上のレジスト膜に液浸液を介して露光する工程(a)、 該レジスト膜に浸入した液浸液成分を除去する工程(b)、 該レジスト膜を加熱する工程(c)、及び、現像を行う工程(d) を、この順に、有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20
FI (2件)：
H01L21/30 514C ,  G03F7/20 521
Fターム (3件)：
5F046BA04 ,  5F046DA07 ,  5F046DA29
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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