特許
J-GLOBAL ID：200903083748614328

フォトレジスト用高分子化合物の製造方法

発明者：
古川 正義

古川 正義 について

, 
蒲原 茂樹

蒲原 茂樹 について


出願人/特許権者：
ダイセル化学工業株式会社

ダイセル化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-000415
公開番号（公開出願番号）：特開2006-188575
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】 本発明の目的は、フォトレジスト用樹脂組成物の樹脂成分として用いた場合、半導体等の電気特性に悪影響を及ぼさないようなフォトレジスト用高分子化合物の操作性簡易な製造法を提供することにある。【解決手段】 本発明は、酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有し、しかも金属含有量50ppb以下のモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有し、しかも金属含有量50ppb以下のモノマーとを少なくとも含むモノマーBおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法を提供する。更に、前記により製造された高分子化合物と光酸発生剤を少なくとも含むフォトレジスト用樹脂組成物を提供し、そのフォトレジスト用樹脂組成物を用いた半導体の製造方法を提供する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸により脱離してアルカリ可溶となる基を有し、しかも金属含有量50ppb以下のモノマーAと、極性基含有脂環式骨格を有し、しかも金属含有量50ppb以下のモノマーBとを少なくとも含むモノマーおよび重合開始剤を溶媒に溶解して、重合温度に昇温された溶媒中に滴下しながら重合させることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造方法。
IPC (1件)：
C08F 2/06
FI (1件)：
C08F2/06
Fターム (27件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025FA12 ,  4C037UA05 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006AC48 ,  4H006BJ30 ,  4H006BN20 ,  4H006KA06 ,  4H006KA14 ,  4H006KE20 ,  4J011AA05 ,  4J011AC05 ,  4J011BB01 ,  4J011BB02 ,  4J011BB12 ,  4J011HA03 ,  4J011HA04 ,  4J011HB06 ,  4J011HB10
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM