成膜装置、成膜方法、これにより成膜された基板及びこの基板を用いた液晶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-285937
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100621
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】コンタクトホールにおける膜界面の形状を良好にする。【解決手段】成膜開始直前においては、ディスパージョンヘッド152の開口部をディスパージョンヘッドカバー(D/Hカバー)150によって閉塞する。D/Hカバー150で開口部を閉塞した状態では、基板149にガスは供給されない。この状態で、TEBガスをディスパージョンヘッド152内に流して、ガスの置換を行う。予備置換が終了すると、D/Hカバー150を移動させ、ヒータ151に吸着された基板149を開口部上に配置する。これにより、基板149にガスが供給されて成膜が開始される。成膜開始時点において、ディスパージョンヘッド152内にTEBガスが充満しているので、成膜開始時における界面のエッチング比率の変化が抑制され、界面形状が良好となる。

請求項（抜粋）：

オゾンTEOS常圧CVDによる成膜直前に、複数の成膜ガスのうち少なくともTEBソースを基板へのガスの供給部に流して、ガスが前記基板に接触しない状態で、前記ガスの供給部内のガスの置換を行う予備置換手順と、予備置換終了後に、前記ガスの供給部からのガスを前記基板に供給して成膜を開始する成膜手順とを具備したことを特徴とする成膜方法。

IPC (7件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 342 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/455 , G09F 9/00 342 Z , H01L 21/28 M , H01L 21/316 X , G02F 1/136 500 , H01L 21/90 K

Fターム (130件)：

2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092NA11 , 2H092NA16 , 2H092PA01 , 2H092PA02 , 2H092PA06 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030AA20 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030BB03 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030DA02 , 4K030DA06 , 4K030EA03 , 4K030EA05 , 4K030HA02 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030KA12 , 4K030KA23 , 4K030KA46 , 4K030LA18 , 4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB19 , 4M104BB24 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD12 , 4M104DD16 , 4M104DD19 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104EE02 , 4M104EE12 , 4M104EE15 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH15 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH17 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ38 , 5F033LL04 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ22 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR13 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033VV15 , 5F033XX02 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045BB04 , 5F045CA15 , 5F045DC52 , 5F045DC57 , 5F045DP05 , 5F045EE15 , 5F045EE18 , 5F045EF18 , 5F045EF20 , 5F045HA01 , 5F045HA13 , 5F045HA14 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BE10 , 5F058BF03 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF33 , 5F058BH13 , 5F058BJ05 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (6件)

シリカ膜の形成方法及び電子部品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-010570 出願人：旭電化工業株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-246405 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
特開平2-015629

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