強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタおよび強誘電体キャパシタの製造方法ならびに強誘電体メモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085784
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296681
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】良好な特性を有する強誘電体膜の製造方法、およびこの製造方法により得られる強誘電体膜を提供する。【解決手段】本発明の強誘電体膜の製造方法は、複合酸化物を含む原材料体を結晶化することを含む、強誘電体膜の製造方法であって、(a)所定の圧力および温度の第1状態で熱処理を行ない、(b)前記(a)の後に該第1状態と比して低い圧力および低い温度の第2状態に維持すること、を含み、前記(a)および(b)を繰り返して行なうことにより結晶化が行なわれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複合酸化物を含む原材料体を結晶化することを含む、強誘電体膜の製造方法であって、 (a)所定の圧力および温度の第1状態で熱処理を行ない、 (b)前記(a)の後に該第1状態と比して低い圧力および低い温度の第2状態に維持すること、を含み、前記(a)および(b)を繰り返して行なうことにより結晶化が行なわれる、強誘電体膜の製造方法。

IPC (1件)：

H01L27/105

FI (2件)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 444A

Fターム (14件)：

5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083FR07 , 5F083FR10 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (7件)

強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-036041 出願人：シャープ株式会社
強誘電体薄膜素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-091431 出願人：セイコーエプソン株式会社
強誘電体薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-001668 出願人：シャープ株式会社

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