強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェット記録装置、ならびに強誘電体素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-273401
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060599
出願日： 2007年10月22日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】強誘電体膜の絶縁性向上とともに信頼性および耐圧性の向上を図ることのできる強誘電体素子を得る。【解決手段】第1の電極(振動板11と兼用)と、第1の電極上11に形成された強誘電体機能膜10と、強誘電体機能膜10上に形成された第2の電極3とを有し、強誘電体機能膜10は、強誘電体膜10a及びこの強誘電体膜10aの構成元素の少なくとも一種類の元素を含み、強誘電体膜10aよりも結晶性の低い絶縁強化膜10bから構成され、強誘電体膜10aのX線解析法による回折ピークの半値幅をa0、強誘電体機能膜10のX線解析法による回折ピークの半値幅をa、半値幅の増加率をp=(a-a0)/a0とするとき、1<p≦2.5とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1の電極と、前記第1の電極上に形成された強誘電体機能膜と、前記強誘電体機能膜上に形成された第2の電極とを有し、前記強誘電体機能膜は、強誘電体膜及びこの強誘電体膜の構成元素の少なくとも一種類の元素を含み、前記強誘電体膜よりも結晶性の低い絶縁強化膜から構成され、前記強誘電体膜のX線解析法による回折ピークの半値幅をa0、前記強誘電体機能膜のX線解析法による回折ピークの半値幅をa、半値幅の増加率をp=(a-a0)/a0とするとき、 1<p≦2.5であることを特徴とする強誘電体素子。

IPC (7件)：

H01L 41/09 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H02N 2/00 , B41J 2/16 , B41J 2/045 , B41J 2/055

FI (8件)：

H01L41/08 C , H01L41/08 U , H01L41/08 J , H01L41/18 101Z , H01L41/22 Z , H02N2/00 B , B41J3/04 103H , B41J3/04 103A

Fターム (9件)：

2C057AF65 , 2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AP14 , 2C057AP52 , 2C057AP53 , 2C057AP57 , 2C057BA04 , 2C057BA14

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-49471号公報
特許第3111416号公報
特許第3139491号公報

審査官引用 (5件)

強誘電体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-156456 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜積層体、強誘電体薄膜素子およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-374864 出願人：株式会社村田製作所
強誘電性薄膜の性能を最適化するための多層方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-205468 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション

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