特許
J-GLOBAL ID：200903084102988943

窒化物半導体素子

発明者：
山田 英司

山田 英司 について

, 
神川 剛

神川 剛 について

, 
荒木 正浩

荒木 正浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-319183
公開番号（公開出願番号）：特開2006-134926
出願日： 2004年11月02日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 本発明は、クラックの発生を防止し、窒化物半導体薄膜の膜厚が均一で表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明によると、丘表面の法線方向と結晶方位<0001>との間でオフ角を備える基板上に窒化物半導体薄膜を成長させることにより、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子のマイグレーションなどによる拡散・移動を抑制する、あるいは意図的に促進させ、その結果、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、諸特性の良好な窒化物半導体素子を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が窒化物半導体で構成される窒化物半導体基板表面に少なくとも1つの凹部から成る掘り込み領域と掘り込まれていない領域である丘部が設けられた加工基板と、当該加工基板上に複数の窒化物半導体薄膜から積層されて成る窒化物半導体成長層と、を備え、前記窒化物半導体成長層が積層される主面方位として{0001}面が用いられる窒化物半導体素子において、 前記丘部の表面部から法線方向に伸びる第1ベクトルの始点と結晶方位<0001>と平行な第2ベクトルの始点とを同一点として前記第1ベクトルと前記第2ベクトルとの間に成される角度であるオフ角が、0.05°以上4°以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (1件)：
H01S 5/323
FI (1件)：
H01S5/323 610
Fターム (12件)：
5F173AA05 ,  5F173AA47 ,  5F173AF03 ,  5F173AG09 ,  5F173AH22 ,  5F173AL03 ,  5F173AL12 ,  5F173AP23 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AP84 ,  5F173AR84
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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