特許
J-GLOBAL ID：200903084124756744

機構デバイスの製造方法、機構デバイス、マイクロリードスイッチおよび静電駆動型スイッチ

発明者：
有馬 尚邦

有馬 尚邦 について

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小林 達郎

小林 達郎 について

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佐藤 洋一

佐藤 洋一 について


出願人/特許権者：
株式会社沖センサデバイス

株式会社沖センサデバイス について

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学校法人東海大学

学校法人東海大学 について


代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123087
公開番号（公開出願番号）：特開2003-311698
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月05日
要約：
【要約】【課題】 マイクロマシン技術を用いることにより小型に構成でき、また、スイッチやセンサなどに応用してこれらの小型化にも貢献できる片持ち梁構造を有する機構デバイスを得る。【解決手段】 基板1上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層の一部を含む基板1上に導電性材料で構成された構造層31を形成し、犠牲層をエッチングにより除去して基板2上に片持ち梁構造部31を形成する片持ち梁構造形成工程とを有し、犠牲層および構造層31のそれぞれを、フォトレジスト膜をパターニングして開口パターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、開口パターン部分に電解メッキにより所定の層を積層する電解メッキ工程と、フォトレジスト膜を除去するエッチング工程とによって形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層の一部を含む前記基板上に導電性材料で構成された片持ち梁状の構造層を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去して前記基板上に片持ち梁構造部を形成する片持ち梁構造形成工程とを有し、前記犠牲層および前記構造層のそれぞれを、フォトレジスト膜をパターニングして開口パターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、該開口パターン部分に電解メッキにより所定の層を積層する電解メッキ工程と、前記フォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去工程とによって形成することを特徴とする機構デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H01H 59/00
FI (3件)：
B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H01H 59/00
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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