特許

J-GLOBAL ID：200903084227023508

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 鳥 山 重 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090968
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289864
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 コンタクト底部でのボイドが発生することを可及的に防止することを可能にする。【解決手段】 ソース領域7およびドレイン領域8が形成された半導体層5と、この半導体層上に形成された絶縁膜10,14と、ソース領域およびドレイン領域にそれぞれ通ずる絶縁膜に開けられたコンタクトホールと、を備え、コンタクトホールの断面形状は、ソース領域またはドレイン領域に向かうにつれて細くなるように構成され、コンタクトホール底部のソース領域およびドレイン領域の一部が削れており、コンタクトホール底部において一部が削られたソース領域およびドレイン領域の断面傾斜角度θ1とソース領域およびドレイン領域直上の絶縁膜の断面傾斜角度θ2との関係が90度>θ2>θ1となる関係を満たしていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体層と、この半導体層上に形成された絶縁膜と、前記ソース領域およびドレイン領域にそれぞれ通ずる前記絶縁膜に開けられたコンタクトホールと、を備え、前記コンタクトホールの断面形状は、前記ソース領域またはドレイン領域に向かうにつれて細くなるように構成され、前記コンタクトホール底部の前記ソース領域およびドレイン領域の一部が削れており、前記コンタクトホール底部において一部が削られた前記ソース領域およびドレイン領域の断面傾斜角度θ1と前記ソース領域およびドレイン領域直上の前記絶縁膜の断面傾斜角度θ2との関係が90度>θ2>θ1となる関係を満たしていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/28 V ,  H01L 29/78 616 J ,  H01L 21/90 D ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (82件)：

2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG20 ,  4M104HH13 ,  4M104HH15 ,  5F033HH22 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033VV15 ,  5F033WW00 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146757   出願人：日本電信電話株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-138152   出願人：松下電器産業株式会社
• 液晶パネル用基板およびその製造方法並びに液晶パネルおよび投写型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326255   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-332894   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-080241   出願人：三菱電機株式会社, セイコーエプソン株式会社