特許
J-GLOBAL ID：200903084229812585

半導体基体及び太陽電池の製造方法と陽極化成装置

発明者：
西田 彰志

西田 彰志 について

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浮世 典孝

浮世 典孝 について

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岩▲崎▼ 由希子

岩▲崎▼ 由希子 について

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坂口 清文

坂口 清文 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161111
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349066
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 ひびや割れの少ない特性の良好な半導体基体及び薄膜結晶太陽電池を効率良く得えて、量産性のある良質の半導体基体及び太陽電池の製造方法を提供することにある。【解決手段】 第一の基体上に形成した薄膜結晶半導体層を剥離して第二の基体上に転写して得られる半導体基体及び太陽電池の製造方法において、前記第一の基体の周辺部の前記薄膜結晶半導体層を電解研磨によりエッチングで除去する半導体基体及び太陽電池の製造方法。
請求項（抜粋）：
第一の基体上に形成した薄膜結晶半導体層を剥離して第二の基体上に転写して得られる半導体基体の製造方法において、前記第一の基体の周辺部の前記薄膜結晶半導体層を電解研磨によりエッチングで除去することを特徴とする半導体基体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3063 ,  C25D 11/32 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
H01L 21/306 L ,  C25D 11/32 ,  H01L 31/04 X
Fターム (11件)：
5F043AA09 ,  5F043BB01 ,  5F043DD14 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10 ,  5F051CB21 ,  5F051GA04 ,  5F051GA05 ,  5F051GA06 ,  5F051GA11 ,  5F051GA20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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