薄膜キャパシタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112589
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307077
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】下部電極材料であるRu、Ir表面の酸化による荒れを抑制する。【解決手段】上部電極層105と下部電極層102間に第1および第2高誘電率酸化物膜103、104の積層を順に形成する。第1の高誘電率酸化膜層103は、酸化力を下げた雰囲気中でRu、Irによる下部電極層102上に形成し、第2の高誘電率酸化膜層104は、酸化力を上げた雰囲気中で、第1の高誘電率酸化膜層103上に形成する。第2の高誘電率酸化膜層104上には、上部電極層105を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の酸化膜形成処理と、第2の酸化膜形成処理とを有し、相対的に酸化力を変化させて白金族元素からなる下部電極層上に高誘電率酸化膜層キャパシタを形成する薄膜キャパシタの製造方法であって、第1の酸化膜形成処理は、酸化力を下げた雰囲気中で下部電極層上に第1の高誘電率酸化膜層を形成する処理であり、第2の酸化膜形成処理は、酸化力を上げた雰囲気中で、第1の高誘電率酸化膜層上に、第2の高誘電率酸化膜層を形成する処理であり、次いで第2の高誘電率酸化膜層上に、上部電極層を形成することを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Fターム (18件)：

5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F083AD21 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-298679 出願人：日本電気株式会社
CVD薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-330674 出願人：大阪瓦斯株式会社
CVD法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるCVD原料及び液体原料容器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-326971 出願人：三菱電機株式会社

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