特許

J-GLOBAL ID：200903084440287900

磁気抵抗効果素子とその製造方法

発明者： 平本 雅祥 ,  小田川 明弘 ,  松川 望 ,  飯島 賢二 ,  榊間 博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-013220
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319722
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 優れた特性を実現できる新たな中間層を備えた磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 中間層と、これを挟持する一対の磁性層とを含み、中間層が、2〜17族から選ばれる少なくとも3種の元素を含み、この元素が、F、O、N、CおよびBから選ばれる少なくとも1種を含む磁気抵抗効果素子とする。

請求項（抜粋）：

中間層と、前記中間層を挟持する一対の磁性層とを含み、前記中間層が、2〜17族から選ばれる少なくとも3種の元素を含み、前記元素が、F、O、N、CおよびBから選ばれる少なくとも1種を含む磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (9件)：

2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (5件)

• オゾン酸化絶縁膜を使用した磁気トンネル素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-323333   出願人：ヤマハ株式会社
• スパッタリング装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232156   出願人：株式会社東芝
• 強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-248363   出願人：住友金属工業株式会社
• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-072579   出願人：株式会社東芝
• 磁気トンネリング接合素子およびその製造方法、これを用いた磁気ヘッド、磁気センサ、磁気メモリならびに磁気記録再生装置、磁気センサ装置、磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-365596   出願人：ソニー株式会社