特許
J-GLOBAL ID：200903084513696706
半導体力学量センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243977
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 製造途中の段階または使用時において、可動電極及び固定電極が互いに張り付くという現象を防止すると共に、歩留まりの向上を実現可能とした半導体力学量センサの製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコンウェハ14a上にシリコン酸化膜14cを介して単結晶シリコン薄膜14bを設けたSOI基板14に、電極パッド4c、5cを形成し、次に単結晶シリコン薄膜14bを研削・研磨し、次にマスク15を形成し、次に単結晶シリコン薄膜14bにシリコン酸化膜14cに達するトレンチ16を形成し、次に単結晶シリコンウェハ14aを所定膜厚を残してウェットエッチングし、次に残存する単結晶シリコンウェハ14aをドライエッチングにより除去し、次にシリコン酸化膜14cをドライエッチングにより除去するとともに、可動電極10a及び固定電極4bの表面に疎水性の薄膜17を堆積形成する。
請求項（抜粋）：
支持基板(2)上に電気的に絶縁された状態で支持され、力学量の作用に応じて変化する半導体材料製の可動電極(10a、10b)と、前記支持基板上に電気的に絶縁された状態で支持され、前記可動電極と所定空隙を存して対向配置された半導体材料製の固定電極(4b、5b)とを備えた半導体力学量センサの製造方法において、最終的に前記支持基板となる第1半導体層(14a)上に絶縁層(14c)を介して第2半導体層(14b)を積層した状態の半導体基板(14)を用意し、前記第2半導体層に前記可動電極及び前記固定電極を画定するためのトレンチ(16)を前記絶縁層に達するように形成するトレンチ形成工程と、前記第1半導体層における前記可動電極及び前記固定電極の形成領域に対応した部分を前記絶縁層と反対側の面からウエットエッチングすると共に、そのエッチング領域の第1半導体層の膜厚があらかじめ設定した膜厚となった時点でエッチング停止する第1のエッチング工程と、この第1のエッチング工程の実行に応じて残存された前記設定膜厚の第1半導体層を気相雰囲気でエッチングすることにより除去して前記絶縁層を露出させる第2のエッチング工程と、気相雰囲気でのエッチングにより前記絶縁層を除去することにより、前記トレンチと連続した状態の開口部を形成して前記可動電極及び前記固定電極を形成する電極形成エッチング工程と、前記可動電極及び前記固定電極の表面に疎水性の薄膜(17)を形成する薄膜形成工程と、を備えることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/84
, G01L 1/14
, G01P 15/125
, H01L 21/3065
, H01L 21/306
H01L 29/84 Z
, G01L 1/14 K
, G01P 15/125
, H01L 21/302 J
, H01L 21/306 B
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA24
, 4M112CA25
, 4M112CA26
, 4M112CA34
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA05
, 4M112DA06
, 4M112DA12
, 4M112EA03
, 5F004AA05
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB29
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004DB32
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA10
, 5F004EA28
, 5F004EB02
, 5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD12
, 5F043DD15
, 5F043FF01
, 5F043FF06
, 5F043FF10
, 5F043GG04
, 5F043GG06
, 5F043GG10
