特許

J-GLOBAL ID：200903084597381209

プロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法

発明者： 守屋 剛 ,  長池 宏史 ,  中山 博之 ,  奥山 喜久夫 ,  島田 学
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 渡部 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-051706
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243915
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 パーティクルによる被処理体の汚染を低減することができるプロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法を提供する。 【解決手段】 ドライエッチング装置1は、被処理体としてのウェハ50のエッチング処理を行うべくその内部が高真空に保持される真空処理室10と、真空処理室10内の下部に配設され且つウェハ50を載置する載置台を兼ねる下部電極20と、真空処理室10内において下部電極20と対向して配設された上部電極40と、真空処理室10の内壁の温度を検知する温度センサ16と、下部電極20の温度を検知する温度センサ24と、上部電極40の温度を検知する温度センサ44と、上部電極40に連結されると共に真空処理室10に所定の気体を導入する気体導入装置41と、真空処理室10の内壁の温度、下部電極20の温度、及び上部電極40の温度に基づいて該所定の温度を制御する制御装置91とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

内部空間が減圧され得る減圧容器と、前記減圧容器の内部空間に気体を導入する気体導入装置と、前記減圧容器の内部空間に配され、当該内部空間において被処理体を処理する処理部とを有するプロセス装置において、 前記減圧容器の内壁の温度を検知する第1の検知手段と、前記処理部の温度を検知する第2の検知手段と、前記気体の温度を制御する第1の制御装置とを備え、前記第1の制御装置は、前記内壁の温度と前記気体の温度との温度勾配又は前記処理部の温度と前記気体の温度との温度勾配に基づいて前記気体の温度を制御することを特徴とするプロセス装置。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101H

Fターム (12件)：

4K030DA06 ,  4K030JA08 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA22 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004CB12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造装置およびその異物除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-213326   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• クリーニング方法及びクリーニング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-272631   出願人：国際電気株式会社
• CVD装置処理室のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-065304   出願人：日本エー・エス・エム株式会社
• プラズマ処理装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-068095   出願人：松下電器産業株式会社