特許
J-GLOBAL ID：200903084623212135

半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
井上 登美男

井上 登美男 について

, 
川原 久和

川原 久和 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009718
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218401
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子を小型化することなくさらに薄型とした半導体発光装置およびその製造方法の提供。【解決手段】 保持基板8に半導体発光素子4を挿入する座繰り穴5aを形成し、それぞれサブマウント素子3上に半導体発光素子4を搭載した複数の複合発光素子1をそれぞれの半導体発光素子4が座繰り穴5a内に配置されるように保持基板8へ実装し、座繰り穴5aへ透明樹脂6を充填して硬化させた後、保持基板8の複数の複合発光素子1間をダイシングし、このダイシング面を主光取り出し面とする。このような半導体発光装置では、半導体発光素子のサブマウント素子3上の搭載面すなわち半導体発光素子4の主発光面に対して垂直方向が主光取り出し面となるため、半導体発光素子4の主発光面のサイズに制限されない薄型の半導体発光装置が得られる。
請求項（抜粋）：
サブマウント素子上に半導体発光素子が搭載された複合発光素子と、前記半導体発光素子が挿入される穴が形成された保持基板とを備え、前記穴内に透明樹脂または蛍光体などの粉体を含有する樹脂が充填された半導体発光装置であって、前記樹脂は、前記半導体発光素子の前記サブマウント素子上の搭載面に対して垂直方向の面が露出し、この露出面が主光取り出し面である半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/28
FI (2件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/28 K
Fターム (15件)：
4M109AA01 ,  4M109CA02 ,  4M109GA01 ,  5F041AA23 ,  5F041AA47 ,  5F041DA02 ,  5F041DA20 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DC12 ,  5F041DC24 ,  5F041DC46 ,  5F041DC56 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (9件)
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