特許
J-GLOBAL ID：200903067703288041

半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
鴨下 昌一

鴨下 昌一 について

, 
若林 直樹

若林 直樹 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367494
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170998
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 実装性が良く、さらに光の取り出し効率の良い側面発光型の半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電気的に絶縁性を有する基板と、この基板上に形成された2つの電極部と、1つの電極部上に搭載され、他の電極部に金属線を介してワイヤボンドされた発光素子チップと、この発光素子チップおよび金属線表面を覆う透明樹脂部と、この透明樹脂部を覆う遮光性および反射性を有する樹脂部とから構成されており、製造過程において、隣り合う2つの発光素子チップは1つ透明樹脂部で覆われており、遮光性および反射性を有する樹脂部形成後に2つの発光素子チップを個々に切り離すために透明樹脂部が2分割されており、この分割面が発光面となっているものである。
請求項（抜粋）：
電気的に絶縁性を有する基板と、この基板上に形成された2つの電極部と、1つの電極部上に搭載され、他の電極部に金属線を介してワイヤボンディングされた発光素子チップと、この発光素子チップおよび金属線表面を覆う透明樹脂部と、この透明樹脂部を覆う遮光性および反射性を有する樹脂部とから構成されており、前記透明樹脂部の一側部が外部に露出した発光面に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (5件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 D ,  H01L 23/30 B
Fターム (28件)：
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA04 ,  4M109CA10 ,  4M109CA21 ,  4M109EC11 ,  4M109EC12 ,  4M109GA01 ,  5F041AA37 ,  5F041AA41 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA58 ,  5F041DA81 ,  5F041DA92 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11 ,  5F061AA02 ,  5F061CA04 ,  5F061CA10 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01
引用特許：
審査官引用 (22件)
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