特許
J-GLOBAL ID:200903084625941320
ラッチ回路及びこれを備えた半導体集積回路、SRAM、フリップフロップ回路、情報機器、通信機器、AV機器及び移動体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-229513
公開番号(公開出願番号):特開2008-052847
出願日: 2006年08月25日
公開日(公表日): 2008年03月06日
要約:
【課題】記憶ノードと容量素子との間のチャージシェアを抑制しつつ、データを安定的に保持することができるラッチ回路を実現する。【解決手段】ラッチ回路は、インバータ回路(11、12及び13)、スイッチング素子(17)及び容量素子(15)を備えている。インバータ回路(11)及びインバータ回路(12)は交差接続されている。インバータ回路(13)は、インバータ回路(12)の出力を論理反転する。スイッチング素子(17)は、インバータ回路(12)の出力端とインバータ回路(13)の出力端との間に接続されている。容量素子(15)は、インバータ回路(13)の出力端と基準電圧ノードとの間に接続されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
交差接続された第1及び第2のインバータ回路と、
前記第1のインバータ回路の出力を受け、これの論理反転を出力する第3のインバータ回路と、
前記第2のインバータ回路の出力端と前記第3のインバータ回路の出力端との間に接続されたスイッチング素子と、
前記第3のインバータ回路の出力端と基準電圧ノードとの間に接続された容量素子とを備えた
ことを特徴とするラッチ回路。
IPC (4件):
G11C 11/41
, H03K 3/037
, H03K 3/356
, G11C 11/412
FI (5件):
G11C11/40 D
, H03K3/037 Z
, H03K3/356 B
, H03K3/356 D
, G11C11/40 301
Fターム (15件):
5B015HH04
, 5B015JJ02
, 5B015KA06
, 5B015KA13
, 5B015QQ11
, 5J034AB06
, 5J034AB07
, 5J034CB01
, 5J034DB08
, 5J043AA06
, 5J043AA25
, 5J043EE01
, 5J043HH01
, 5J043JJ10
, 5J043KK06
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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