特許
J-GLOBAL ID：200903084639687745

半導体発光素子の製造方法

発明者：
木村 義則

木村 義則 について

, 
太田 啓之

太田 啓之 について


出願人/特許権者：
パイオニア株式会社

パイオニア株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-013204
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204833
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 簡便な作成方法で電流注入領域を制限でき、量産も容易であり、かつ電極との接触抵抗が小さい半導体素子を得るための製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 基板上に、少なくともn型GaN系半導体層、活性層及びp型GaN系半導体層を積層してなる半導体発光素子の製造方法において、p型GaN系半導体層を熱処理することにより活性化させる第1の熱処理工程と、p型GaN系半導体層の表面上の電流注入領域を金属によりマスクを行うマスク工程と、マスク工程後、さらに熱処理を行いマスク以外のp型GaN系半導体層を不活性化させる第2の熱処理工程とを備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型GaN系半導体層、活性層及びp型GaN系半導体層を積層してなる半導体発光素子の製造方法において、前記p型GaN系半導体層を熱処理することにより活性化させる第1の熱処理工程と、前記p型GaN系半導体層の表面上の電流注入領域を金属によりマスクを行うマスク工程と、前記マスク工程後、さらに熱処理を行い前記マスク以外の前記p型GaN系半導体層を不活性化させる第2の熱処理工程とを備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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