特許

J-GLOBAL ID：200903084680382535

半導体装置及びその製造方法

発明者： 柴本 強 ,  木下 淳 ,  若林 信一 ,  小野 雅史 ,  吉原 孝子 ,  山野 孝治 ,  芦沢 君雄
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-308573
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127095
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 外部接続端子として突起状電極を備えた半導体装置(パッケージ)において、パッケージの実装時及び実装後に突起状電極に及ぼされる熱ストレスによる影響を緩和し、信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】 半導体チップ30上に層間絶縁層13が形成され、さらに半導体チップ30を外部雰囲気から保護する封止樹脂層19を有すると共に、外部接続端子としての突起状電極20を備えた半導体装置において、少なくとも層間絶縁層13を特定の低熱膨張率及び特定の低弾性率を有する樹脂を用いて形成する。好適な実施形態では、さらに封止樹脂層19を特定の低熱膨張率及び特定の低弾性率を有する樹脂を用いて形成する。特定の低熱膨張率は40ppm/°C以下、好適には30ppm/°C以下に選定され、特定の低弾性率は4GPa以下、好適には3GPa以下に選定される。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極パッド形成面上に層間絶縁層が形成され、該層間絶縁層上に前記半導体チップを外部雰囲気から保護する封止樹脂層が形成されると共に、前記半導体チップの電極パッドと電気的に接続され、前記封止樹脂層を貫通して露出する外部接続端子としての突起状電極を備えた半導体装置において、少なくとも前記層間絶縁層の一部が、特定の低熱膨張率及び特定の低弾性率を有する樹脂によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 R

Fターム (21件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA03 ,  4M109CA05 ,  4M109CA08 ,  4M109CA22 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EA08 ,  4M109EA10 ,  4M109EC04 ,  4M109ED04 ,  4M109EE02 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA03 ,  5F061CA05 ,  5F061CA08 ,  5F061CA22 ,  5F061CB13 ,  5F061DE03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-271323   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002976   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007605   出願人：新光電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-259861   出願人：新光電気工業株式会社