特許
J-GLOBAL ID：200903084681964066
多層配線の研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141656
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326392
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 Wプラグ表面の凹形状と酸化膜上の傷及び酸化膜のくぼみの発生を抑止でき、完全平坦化が図れ、リソグラフィー等の後工程におけるトラブル発生率を低減できる多層配線の研磨方法を提供する。【解決手段】 段差のある半導体基板上に被覆された金属膜の研磨を2段階に分けて研磨することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
段差のある半導体基板上に被覆された金属膜の研磨を2段階に分けて研磨することを特徴とする多層配線の研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 321
H01L 21/88 K
, H01L 21/304 321 M
