少なくとも5面チャンネル型FINFETトランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-009650
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203798
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】少なくとも5面チャンネル型FinFETトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ベースと、ベース上に形成された半導体本体であって、本体上で多角形の輪郭を提供する5面またはそれ以上の面を有するチャンネル領域を介して、両側にソース/ドレイン領域を有するように長手方向に配置している半導体本体と、本体のチャンネル領域上にあるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、からなることを特徴とする多面チャンネル型FinFETトランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ベースと、前記ベース上に形成された半導体本体であって、前記本体上で少なくとも5つの平面を有するチャンネル領域を介して、両側にソース/ドレイン領域を有するように長手方向に配置している半導体本体と、前記本体のチャンネル領域上にあるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、からなることを特徴とする少なくとも5面チャンネル型FinFETトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L29/786

FI (6件)：

H01L29/78 301H , H01L29/78 618C , H01L29/78 618E , H01L29/78 620 , H01L29/78 618B , H01L29/78 301X

Fターム (43件)：

5F110AA04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110EE30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG42 , 5F110HJ13 , 5F140AA39 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA20 , 5F140BB01 , 5F140BB02 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF42 , 5F140BH01 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭64-061060
半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-045597 出願人：株式会社東芝
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227633 出願人：富士通株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Corner Effect in Multiple-Gate SOI MOSFETs

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